Samsung SSD 845 DC PRO - 400 GigaByte

  • 400TB
  • Stromausfallschutz
  • S.M.A.R.T.-Technologie
  • Erweitertes ECC-Modul
  • 3D V-NAND-Flash-Speicher
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97% Preisleistung
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95% Ausstattung
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90% Verarbeitung
Performance
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Testbericht

Samsung SSD 845 DC PRO – garantiere Schreibleistung: 15.000 TB

Samsung schlägt mit der SSD 845 DC PRO ein neues Kapitel für Datacenter SSDs auf. Während die 845 DC EVO noch auf den 3 Bit MLC, bzw. TLC Speicher setzt, kommt in der 845 DC PRO der neue vertikale NAND Speicher zum Einsatz. Mit dieser Ausstattung garantiert Samsung eine maximale Schreibleistung von unglaublichen 15.000 TB, das sind etwa 8,2 TB Schreibleistung am Tag. Die Samsung SSD 845 DC PRO gibt es in den Kapazitäten 400 und 800 GB. Auch die Leistung kann sich sehen lassen: Lese- bzw. Schreibgeschwindigkeit erreicht maximal 530 MB/S bzw. 460 MB/s. Im Punkt IOPS Leistung liegt die 845 DC PRO lesend bei ca. 92.000, schreibend bei rund 50,000 bei normaler Performance, aber selbst unter voller Auslastung bleibt die IOPS erstaunlich hoch. Ein weiterer Vorteil für eine garantiert hohe Qualität besteht darin, dass Samsung sämtliche SSD Komponenten selbstherstellt. Es kommt keine Technologie von Drittherstellern zum Einsatz, die möglicherweise zu Integrationsproblemen führen könnte. Zusammengefasst bietet die Samsung SSD 845 DC PRO mit ihrer eingebauten V-NAND Speichertechnologie eine zehnmal höhere Lebensdauer als herkömmliche SSDs. Die herausragende Langlebigkeit wird nur noch von der Leistung übertroffen. Selbst bei schreibintensiven Anwendungen bleibt die Performance konstant hoch. Das eigene Rechenzentrum aufzupeppen ging nie einfacher, schneller und besser.

Datenblatt

HerstellerSamsung
NameSSD 845 DC PRO
ModellMZ-7WD400
KategorieSSD Festplatten
Kapazität 400GB
SchnittstellenSATA 6 Gb/s Schnittstelle, Abwärtskompatibel zu SATA 3 Gb/s & SATA 1,5 Gb/s Schnittstelle
Storage-SpeicherSamsung 24 layer 3D V-NAND
Abmessungen (BxHxT)Abmessungen: 100 x 69,85 x 6,8 (mm)
Gewicht65 g
ControllerSamsung 3-core MDX Controller
Cache-Speicher512 MB Low Power DDR2 SDRAM Cache-Speicher
TRIM Unterstützungja
S.M.A.R.T Unterstützungja
WWN Unterstützungja
GC (Garbage Collection)Auto Garbage Collection Algorithm
Sequenzielle LesegeschwindigkeitBis zu 530 MB/sec Sequential Read
Sequenzielle SchreibgeschwindigkeitBis zu 460 MB/sec Sequential Write
Ein-/Ausgabeoperationen lesen (4KB, QD32)Bis zu 92.000 IOPS Random Read
Ein-/Ausgabeoperationen schreiben (4KB, QD32)Bis zu 50.000 IOPS Random Write
Ein-/Ausgabeoperationen lesen (4KB, QD1)Bis zu 8.500 IOPS Random Read
Ein-/Ausgabeoperationen schreiben (4KB, QD1)Bis zu 18.000 IOPS Random Write
Quality of Service (QoS)99,9 % (Read/Write) : 0,6ms/5ms
LatenzSequential (Read/Write) : 45us/40u s // Random (Read/Write) : 110us/50us
MTBF2 Millionen Stunden
Betriebstemperatur0 - 70 °C
Stoßsicherheit1.500 G & 0,5ms (halber Sinus)
VerwaltungssoftwareSamsung SSD Magician DC Software zur Verwaltung der SSD
* Die letzte Preisaktualisierung erfolgte am 26.10.2017 um 01:41Uhr.